SI6433BDQ-T1-GE3
Cikkszám:
SI6433BDQ-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14430 Pieces
Adatlap:
SI6433BDQ-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI6433BDQ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI6433BDQ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI6433BDQ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-TSSOP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.05W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Más nevek:SI6433BDQ-T1-GE3TR
SI6433BDQT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI6433BDQ-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 12V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):12V
Leírás:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások