megvesz SI6433BDQ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-TSSOP |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.05W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Más nevek: | SI6433BDQ-T1-GE3TR SI6433BDQT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI6433BDQ-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 12V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 12V |
Leírás: | MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |