megvesz SI5908DC-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 1206-8 ChipFET™ |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Teljesítmény - Max: | 1.1W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SMD, Flat Lead |
Más nevek: | SI5908DC-T1-E3TR SI5908DCT1E3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
Gyártási szám: | SI5908DC-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.4A |
Email: | [email protected] |