megvesz SI5445BDC-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 1206-8 ChipFET™ |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.3W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SMD, Flat Lead |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI5445BDC-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 8V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 8V |
Leírás: | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 5.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |