SI5419DU-T1-GE3
SI5419DU-T1-GE3
Cikkszám:
SI5419DU-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16819 Pieces
Adatlap:
SI5419DU-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI5419DU-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI5419DU-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI5419DU-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 6.6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerVDFN
Más nevek:SI5419DU-T1-GE3TR
SI5419DUT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI5419DU-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások