SI4833ADY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4833ADY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13463 Pieces
Adatlap:
SI4833ADY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4833ADY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4833ADY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4833ADY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:LITTLE FOOT®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:72 mOhm @ 3.6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4833ADY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:Schottky Diode (Isolated)
Bővített leírás:P-Channel 30V 4.6A (Tc) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások