megvesz SI4823DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | LITTLE FOOT® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4823DY-T1-GE3TR SI4823DYT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SI4823DY-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | Schottky Diode (Isolated) |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 4.5V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |