megvesz SI4650DY-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 3.1W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4650DY-T1-E3TR SI4650DYT1E3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI4650DY-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET típus: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET funkció: | Standard |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 8A |
Email: | [email protected] |