megvesz SI4618DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 8A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 1.98W, 4.16W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SI4618DY-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1535pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET típus: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET funkció: | Standard |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 8A, 15.2A |
Email: | [email protected] |