SI4564DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4564DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12205 Pieces
Adatlap:
SI4564DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4564DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4564DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4564DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:17.5 mOhm @ 8A, 10V
Teljesítmény - Max:3.1W, 3.2W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SI4564DY-T1-GE3TR
SI4564DYT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI4564DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:855pF @ 20V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET típus:N and P-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:10A, 9.2A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások