SI4493DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4493DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14833 Pieces
Adatlap:
SI4493DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4493DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4493DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4493DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:7.75 mOhm @ 14A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.5W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4493DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások