megvesz SI4488DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA (Min) |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.56W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4488DY-T1-GE3TR SI4488DYT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
Gyártási szám: | SI4488DY-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 150V |
Leírás: | MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |