SI4310BDY-T1-E3
Cikkszám:
SI4310BDY-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16324 Pieces
Adatlap:
SI4310BDY-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4310BDY-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4310BDY-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4310BDY-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:14-SOIC
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítmény - Max:1.14W, 1.47W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4310BDY-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2370pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7.5A, 9.8A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások