SI4196DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4196DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13833 Pieces
Adatlap:
SI4196DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4196DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4196DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4196DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 8A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta), 4.6W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4196DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 8V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások