SI4178DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4178DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16551 Pieces
Adatlap:
SI4178DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4178DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4178DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4178DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 8.4A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.4W (Ta), 5W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SI4178DY-T1-GE3TR
SI4178DYT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI4178DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:405pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások