megvesz SI4164DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 15A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3W (Ta), 6W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4164DY-T1-GE3TR SI4164DYT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
Gyártási szám: | SI4164DY-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3545pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 30V 30A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |