megvesz SI3993DV-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 133 mOhm @ 2.2A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 830mW |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SI3993DV-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 4.5V |
FET típus: | 2 P-Channel (Dual) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.8A |
Email: | [email protected] |