megvesz SI3911DV-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Teljesítmény - Max: | 830mW |
Csomagolás: | Original-Reel® |
Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Más nevek: | SI3911DV-T1-E3DKR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI3911DV-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET típus: | 2 P-Channel (Dual) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.8A |
Email: | [email protected] |