SI3493BDV-T1-E3
SI3493BDV-T1-E3
Cikkszám:
SI3493BDV-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14481 Pieces
Adatlap:
SI3493BDV-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI3493BDV-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI3493BDV-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI3493BDV-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-TSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Más nevek:SI3493BDV-T1-E3TR
SI3493BDVT1E3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI3493BDV-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1805pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:43.5nC @ 5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások