SI3465DV-T1-GE3
SI3465DV-T1-GE3
Cikkszám:
SI3465DV-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15703 Pieces
Adatlap:
SI3465DV-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI3465DV-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI3465DV-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI3465DV-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-TSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 4A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.14W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI3465DV-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások