SI3456CDV-T1-GE3
SI3456CDV-T1-GE3
Cikkszám:
SI3456CDV-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16296 Pieces
Adatlap:
SI3456CDV-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI3456CDV-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI3456CDV-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI3456CDV-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-TSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 6.1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta), 3.3W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI3456CDV-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 7.7A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7.7A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások