megvesz SI2335DS-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 51 mOhm @ 4A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 750mW (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI2335DS-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1225pF @ 6V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 12V |
Leírás: | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |