SI1441EDH-T1-GE3
Cikkszám:
SI1441EDH-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13082 Pieces
Adatlap:
SI1441EDH-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI1441EDH-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI1441EDH-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI1441EDH-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SOT-363
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:41 mOhm @ 5A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek:SI1441EDH-T1-GE3-ND
SI1441EDH-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI1441EDH-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 8V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások