SI1404BDH-T1-GE3
Cikkszám:
SI1404BDH-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17633 Pieces
Adatlap:
SI1404BDH-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI1404BDH-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI1404BDH-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI1404BDH-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SC-70-6 (SOT-363)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI1404BDH-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások