megvesz SI1317DL-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | SOT-323 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | SC-70, SOT-323 |
Más nevek: | SI1317DL-T1-GE3-ND SI1317DL-T1-GE3TR |
Üzemi hőmérséklet: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SI1317DL-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 272pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SOT-323 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 1.8V, 4.5V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |