SI1305EDL-T1-GE3
SI1305EDL-T1-GE3
Cikkszám:
SI1305EDL-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12914 Pieces
Adatlap:
SI1305EDL-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI1305EDL-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI1305EDL-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI1305EDL-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SC-70-3
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 1A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):290mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SC-70, SOT-323
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI1305EDL-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Leírás:MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:860mA (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások