SI1078X-T1-GE3
SI1078X-T1-GE3
Cikkszám:
SI1078X-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12547 Pieces
Adatlap:
SI1078X-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI1078X-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI1078X-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI1078X-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:142 mOhm @ 1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):240mW (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:SOT-563, SOT-666
Más nevek:SI1078X-T1-GE3DKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:SI1078X-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):2.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.02A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások