RS3E095BNGZETB
Cikkszám:
RS3E095BNGZETB
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18439 Pieces
Adatlap:
RS3E095BNGZETB.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RS3E095BNGZETB, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RS3E095BNGZETB e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RS3E095BNGZETB BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SOP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:RS3E095BNGZETBTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RS3E095BNGZETB
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:16.3nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 9.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások