RS1E280BNTB
RS1E280BNTB
Cikkszám:
RS1E280BNTB
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19126 Pieces
Adatlap:
RS1E280BNTB.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RS1E280BNTB, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RS1E280BNTB e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RS1E280BNTB BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-HSOP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 28A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3W (Ta), 30W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:RS1E280BNTBTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RS1E280BNTB
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:94nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 28A (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:28A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások