megvesz RJH1CF5RDPQ-80#T2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
RJH1CF5RDPQ-80#T2
- Cikkszám:
- RJH1CF5RDPQ-80#T2
- Gyártó:
- Renesas Electronics America
- Leírás:
- IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19469 Pieces
- Adatlap:
- RJH1CF5RDPQ-80#T2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RJH1CF5RDPQ-80#T2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RJH1CF5RDPQ-80#T2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 25A |
| Teszt állapot: | - |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | - |
| Energiaváltás: | - |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 192.3W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | RJH1CF5RDPQ-80#T2 |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Bővített leírás: | IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247 |
| Leírás: | IGBT 1200V 50A 192.3W TO247 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | - |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az RJH1CF5RDPQ-80#T2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
RJH1CF6RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 55A 227.2W TO247 | Vizsgálat |
 |
IRGPS47160DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPAK | Vizsgálat |
 |
SKB06N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2 | Vizsgálat |
|
RJH1CF4RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 40A 156.2W TO247 | Vizsgálat |
|
IRG4BC30S-STRLP | Infineon Technologies | IGBT 600V 34A 100W D2PAK | Vizsgálat |
|
FGB20N60SFD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | Vizsgálat |
 |
STGW60H65F | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 360W TO247 | Vizsgálat |
 |
IXGH32N90B2D1 | IXYS | IGBT 900V 64A 300W TO247 | Vizsgálat |
|
RJH1CF7RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 60A 250W TO247 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog