megvesz RGT30NS65DGTL BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
RGT30NS65DGTL
- Cikkszám:
- RGT30NS65DGTL
- Gyártó:
- LAPIS Semiconductor
- Leírás:
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15887 Pieces
- Adatlap:
- RGT30NS65DGTL.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RGT30NS65DGTL, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RGT30NS65DGTL e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 15A |
| Teszt állapot: | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 18ns/64ns |
| Energiaváltás: | - |
| Szállító eszközcsomag: | LPDS (TO-263S) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 55ns |
| Teljesítmény - Max: | 133W |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | RGT30NS65DGTLDKR |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártási szám: | RGT30NS65DGTL |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 32nC |
| Bővített leírás: | IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Leírás: | IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 45A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az RGT30NS65DGTL-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | Vizsgálat |
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | Vizsgálat |
|
STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO247 | Vizsgálat |
 |
IRG4RC10UTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | Vizsgálat |
 |
IXGH24N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247 | Vizsgálat |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | Vizsgálat |
 |
IRGR4607DTRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 58W DPAK | Vizsgálat |
|
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 | Vizsgálat |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Vizsgálat |
 |
SGP23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220 | Vizsgálat |
 |
IXYK140N90C3 | IXYS | IGBT 900V 310A 1630W TO264 | Vizsgálat |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog