RFV12TG6SGC9
RFV12TG6SGC9
Cikkszám:
RFV12TG6SGC9
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14306 Pieces
Adatlap:
RFV12TG6SGC9.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RFV12TG6SGC9, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RFV12TG6SGC9 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RFV12TG6SGC9 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:2.8V @ 12A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):600V
Szállító eszközcsomag:TO-220ACFP
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):45ns
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-2
Működési hőmérséklet - csatlakozás:150°C (Max)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RFV12TG6SGC9
Bővített leírás:Diode Standard 600V 12A Through Hole TO-220ACFP
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 600V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):12A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások