RFN10BM3STL
RFN10BM3STL
Cikkszám:
RFN10BM3STL
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13395 Pieces
Adatlap:
RFN10BM3STL.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RFN10BM3STL, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RFN10BM3STL e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RFN10BM3STL BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.5V @ 10A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):350V
Szállító eszközcsomag:TO-252
Sebesség:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:RFN10BM3STLTR
Működési hőmérséklet - csatlakozás:150°C (Max)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RFN10BM3STL
Bővített leírás:Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 350V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):10A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások