RF4E070BNTR
RF4E070BNTR
Cikkszám:
RF4E070BNTR
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12761 Pieces
Adatlap:
RF4E070BNTR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RF4E070BNTR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RF4E070BNTR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RF4E070BNTR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-HUML2020L8 (2x2)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:28.6 mOhm @ 7A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerUDFN
Más nevek:RF4E070BNTRTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RF4E070BNTR
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:8.9nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások