megvesz QJD1210SA2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
QJD1210SA2
- Cikkszám:
- QJD1210SA2
- Gyártó:
- Powerex, Inc.
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18403 Pieces
- Adatlap:
- 1.QJD1210SA2.pdf2.QJD1210SA2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója QJD1210SA2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét QJD1210SA2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 34mA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 100A, 15V |
| Teljesítmény - Max: | 415W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | QJD1210SA2 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 8200pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 15V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Standard |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az QJD1210SA2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Vizsgálat |
 |
FMM22-05PF | IXYS | MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC | Vizsgálat |
|
QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Vizsgálat |
|
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | Vizsgálat |
 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
|
QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Vizsgálat |
 |
VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Vizsgálat |
 |
IRF7309PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
NTZD3158PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 | Vizsgálat |
|
SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | Vizsgálat |
|
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog