megvesz PMWD19UN,518 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
PMWD19UN,518
- Cikkszám:
- PMWD19UN,518
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14478 Pieces
- Adatlap:
- PMWD19UN,518.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója PMWD19UN,518, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét PMWD19UN,518 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 1mA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 8-TSSOP |
| Sorozat: | TrenchMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 2.3W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Más nevek: | 568-2361-2 934057598518 PMWD19UN /T3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | PMWD19UN,518 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1478pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 5.6A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PMWD19UN,518-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PMWD16UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP | Vizsgálat |
 |
FDS6890A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | Vizsgálat |
|
PMWD15UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP | Vizsgálat |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | Vizsgálat |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | Vizsgálat |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog