megvesz PHM25NQ10T,518 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-HVSON (6x5) |
Sorozat: | TrenchMOS™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 10A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 62.5W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-VDFN Exposed Pad |
Más nevek: | 934057309518 PHM25NQ10T /T3 PHM25NQ10T /T3-ND |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | PHM25NQ10T,518 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 20V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 26.6nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 100V 30.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5) |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Leírás: | MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 30.7A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |