megvesz PDTD123TS,126 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
PDTD123TS,126
- Cikkszám:
- PDTD123TS,126
- Leírás:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12925 Pieces
- Adatlap:
- PDTD123TS,126.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója PDTD123TS,126, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét PDTD123TS,126 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tranzisztor típusú: | NPN - Pre-Biased |
| Szállító eszközcsomag: | TO-92-3 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm): | - |
| Ellenállás - alap (R1) (Ohm): | 2.2k |
| Teljesítmény - Max: | 500mW |
| Csomagolás: | Tape & Box (TB) |
| Csomagolás / tok: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Más nevek: | 934059726126 PDTD123TS AMO PDTD123TS AMO-ND |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | PDTD123TS,126 |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Bővített leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Leírás: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PDTD123TS,126-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTD123TK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Vizsgálat |
|
PDTD113ZK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Vizsgálat |
 |
PDTD123ES,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Vizsgálat |
 |
FJN4314RTA | Fairchild/ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 | Vizsgálat |
|
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Vizsgálat |
|
PDTD113ZS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Vizsgálat |
|
PDTD123EK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Vizsgálat |
|
PDTD123YS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Vizsgálat |
|
PDTD123YK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Vizsgálat |
|
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog