NVMD3P03R2G
Cikkszám:
NVMD3P03R2G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19991 Pieces
Adatlap:
NVMD3P03R2G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NVMD3P03R2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NVMD3P03R2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NVMD3P03R2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SOIC
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 3.05A, 10V
Teljesítmény - Max:730mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:11 Weeks
Gyártási szám:NVMD3P03R2G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 24V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET típus:2 P-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:2.34A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások