megvesz NVJD5121NT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NVJD5121NT1G
- Cikkszám:
- NVJD5121NT1G
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17399 Pieces
- Adatlap:
- NVJD5121NT1G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NVJD5121NT1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NVJD5121NT1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 250mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | NVJD5121NT1G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 26pF @ 20V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Standard |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 295mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NVJD5121NT1G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
VWM350-0075P | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 | Vizsgálat |
 |
SI5904DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Vizsgálat |
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | Vizsgálat |
 |
AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | Vizsgálat |
|
SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8 | Vizsgálat |
 |
SP8M70TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
BUK7K89-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56 | Vizsgálat |
|
SI4953ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers