NVD4809NT4G
NVD4809NT4G
Cikkszám:
NVD4809NT4G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19483 Pieces
Adatlap:
NVD4809NT4G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NVD4809NT4G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NVD4809NT4G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NVD4809NT4G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:DPAK
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.4W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NVD4809NT4G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1456pF @ 12V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 11.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9.6A (Ta), 58A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások
Loading...