NTMS4920NR2G
Cikkszám:
NTMS4920NR2G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19389 Pieces
Adatlap:
NTMS4920NR2G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMS4920NR2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMS4920NR2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTMS4920NR2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SOIC
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.3 mOhm @ 7.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):820mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:NTMS4920NR2G-ND
NTMS4920NR2GOSTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:5 Weeks
Gyártási szám:NTMS4920NR2G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:4068pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:58.9nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 10.6A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:10.6A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások