NTMFS4C13NT1G
NTMFS4C13NT1G
Cikkszám:
NTMFS4C13NT1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19132 Pieces
Adatlap:
NTMFS4C13NT1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMFS4C13NT1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMFS4C13NT1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTMFS4C13NT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:9.1 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):750mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:NTMFS4C13NT1G-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:29 Weeks
Gyártási szám:NTMFS4C13NT1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15.2nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 7.2A (Ta), 38A (Tc) 750mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7.2A (Ta), 38A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások