NTDV3055L104-1G
NTDV3055L104-1G
Cikkszám:
NTDV3055L104-1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18938 Pieces
Adatlap:
NTDV3055L104-1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTDV3055L104-1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTDV3055L104-1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTDV3055L104-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:I-Pak
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:104 mOhm @ 6A, 5V
Teljesítményleadás (Max):1.5W (Ta), 48W (Tj)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NTDV3055L104-1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások