megvesz NTD6600N BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NTD6600N
- Cikkszám:
- NTD6600N
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15533 Pieces
- Adatlap:
- NTD6600N.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTD6600N, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTD6600N e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | DPAK |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 146 mOhm @ 6A, 5V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NTD6600N |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTD6600N-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD6600NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | Vizsgálat |
 |
NTD6600N-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD6600N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | Vizsgálat |
 |
NTD6600NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | Vizsgálat |
 |
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 60V SOT23 | Vizsgálat |
 |
NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 150A SO8FL | Vizsgálat |
 |
PH4840S,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK | Vizsgálat |
 |
TK5A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS | Vizsgálat |
 |
FDD9411_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15A DPAK | Vizsgálat |
 |
STS11NF30L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
IRLR4343TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | Vizsgálat |
 |
STF7N52DK3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog