megvesz NTD4855N-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | I-Pak |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 30A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | NTD4855N-1G |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 12V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 32.7nC @ 4.5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 25V 14A (Ta), 98A (Tc) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) Through Hole I-Pak |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 25V |
Leírás: | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta), 98A (Tc) |
Email: | [email protected] |