NTD18N06T4G
NTD18N06T4G
Cikkszám:
NTD18N06T4G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16345 Pieces
Adatlap:
NTD18N06T4G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTD18N06T4G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTD18N06T4G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTD18N06T4G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:DPAK
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 9A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.1W (Ta), 55W (Tj)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:NTD18N06T4GOS
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NTD18N06T4G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások