NSVMUN5133DW1T1G
NSVMUN5133DW1T1G
Cikkszám:
NSVMUN5133DW1T1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18584 Pieces
Adatlap:
NSVMUN5133DW1T1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NSVMUN5133DW1T1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NSVMUN5133DW1T1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NSVMUN5133DW1T1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tranzisztor típusú:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):47k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):4.7k
Teljesítmény - Max:250mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:NSVMUN5133DW1T1G
Frekvencia - Átmenet:-
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Leírás:TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások