NSS40301MDR2G
Cikkszám:
NSS40301MDR2G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12593 Pieces
Adatlap:
NSS40301MDR2G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NSS40301MDR2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NSS40301MDR2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NSS40301MDR2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:115mV @ 200mA, 2A
Tranzisztor típusú:2 NPN (Dual)
Szállító eszközcsomag:8-SOIC
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:653mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:4 Weeks
Gyártási szám:NSS40301MDR2G
Frekvencia - Átmenet:100MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Leírás:TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:180 @ 1A, 2V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):3A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások