megvesz NSBA115EDXV6T1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tranzisztor típusú: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Szállító eszközcsomag: | SOT-563 |
Sorozat: | - |
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm): | 100k |
Ellenállás - alap (R1) (Ohm): | 100k |
Teljesítmény - Max: | 500mW |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | SOT-563, SOT-666 |
Más nevek: | NSBA115EDXV6T1G-ND NSBA115EDXV6T1GOSTR |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
Gyártási szám: | NSBA115EDXV6T1G |
Frekvencia - Átmenet: | - |
Bővített leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Leírás: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Áram - kollektor (Ic) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |