NSB8MT-E3/81
NSB8MT-E3/81
Cikkszám:
NSB8MT-E3/81
Gyártó:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Leírás:
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15286 Pieces
Adatlap:
1.NSB8MT-E3/81.pdf2.NSB8MT-E3/81.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NSB8MT-E3/81, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NSB8MT-E3/81 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NSB8MT-E3/81 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.1V @ 8A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):1000V (1kV)
Szállító eszközcsomag:TO-263AB
Sebesség:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sorozat:-
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:NSB8MT-E3/81GIDKR
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-55°C ~ 150°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:30 Weeks
Gyártási szám:NSB8MT-E3/81
Bővített leírás:Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount TO-263AB
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 1000V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):8A
Capacitance @ Vr, F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások